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蓝天白云3760铁虫 (小有名气)
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上转换 材料表面修饰 (氨基修饰TEOS与APTMS) 已有1人参与
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各位大神,我想用制备的UCNP和纳米金发生FRET,光谱重叠与材料电位条件都已经具备,就是两者的距离需要在有效范围内(1-10nm),但是我用氨基修饰材料后发现修饰的厚度太大了,有十几纳米了 TEOS的添加量可以影响硅壳的厚度,如果我不用TEOS,直接用APTMS,可以使得材料表面具有氨基并且水溶性好么? 但是很多文献都是用 TEOS 与 APTMS,究其机理,望各位大神不吝赐教! |
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蓝天白云3760
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