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zlj4165

银虫 (著名写手)

[交流] 【请教】光刻去胶问题请教

光刻显影后(5nm线宽,1微米厚的光刻胶(350nm)),在氧化层的硅片表面镀金30nm,镀完后,在丙酮泡30分钟都没有什么效果,去不了胶,照理说金的厚度并不至于把光刻胶包上啊,怎么就是去不了胶。
用超声试过,胶能去除,但是同时把需要的金薄膜也去除一部分了。
希望有经验的达人能指点一二,不胜感激

[ Last edited by caosw2001 on 2008-9-3 at 16:35 ]
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zlj4165

银虫 (著名写手)


wdwsnnu(金币+1,VIP+0):谢谢提供
楼主做微米结构出了这种问题实在是不应该,哈哈!
你涂胶用到的涂胶台实在是简陋,怎么没有真空吸片功能呢?推荐买一款好的涂胶台。
胶涂厚了对你的工艺更加有害,建议涂1微米左右。
======
我涂的是1微米厚度左右的,以前从来没有接触过这些东西,也没有人指点。所以,还没入门呢。请你多多指点。我现在想做多层工艺,就你的意见,能否给我推荐光刻胶呢?汞灯350nm都可以。
9楼2008-09-08 08:18:54
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wqnow

木虫 (正式写手)


jackchen145(金币+1,VIP+0):3x,欢迎常来纳米版!
”5nm线宽“,这个牛。
金在光刻胶上面??要是在下面不应该啊,光刻之后洗金然后除胶是吗?是不是光刻之后还有什么其他步骤把胶给搞固化了?
2楼2008-09-03 22:08:35
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zlj4165

银虫 (著名写手)

没有固化,光刻后,显影,之后镀金,

接下来就想把光刻胶(上面有一层金)去除,但是不用超声的话去不掉。楼上的朋友是不是也做这一块的,能否加我QQ55645593,指点我一下?
3楼2008-09-04 08:36:05
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quanbaogang

木虫 (正式写手)


jackchen145(金币+1,VIP+0):3x,欢迎常来纳米版!
楼主遇到的问题是lift-off困难的问题。
首先lift-off要有under-cut结构才能很好地进行,如果出现over-cut就会影响lift-off效果。当然如果镀膜方法选择得当,比如电子束蒸镀,也能让lift-off进行顺利些。
解决问题的主要办法就是获得under-cut结构,比如用双层胶工艺或用lift-off resist等。
另外,我知道有很多胶都有除胶剂,比如All resist公司的光刻胶就配有相应的除胶剂。
如果有兴趣楼主可以联系我。
最后,祝楼主工作顺利!
4楼2008-09-05 18:02:53
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