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crystalxh

新虫 (初入文坛)

[求助] 关于霍尔效应测试ito迁移率的问题 已有2人参与

原理什么的都已经了解清楚了,但在测试时总是问题很多。

ito电阻率很小,大约在10e-4量级,迁移率大约几十的量级,因此相对来说测出的霍尔电压会很小。

但我在测试的过程中,霍尔电压一直很大,电流10mA,磁场0.1T的情况下,霍尔电压是mv级别的(按照迁移率推算应该是几十μV才对)。

我是怀疑是我接触电阻太大的问题,一开始用的是一种银铟合金,看起来像导电银胶一样的东西,涂上效果不太好。
之后我又买了测量霍尔专门制作电极的铟镓(液态金属),但测出来还是mv级别的。
我还怀疑过夹具的问题,是不是导线接触不良,或是夹具的针太细了?不过我微调夹具探针的位置,测出来的霍尔电压基本不变。

想请教大神,这样的现象是不是我做的接触电阻有问题,还是其他的问题,如果是的话应该怎样改善?
如果不好改善的话, 能不能把接触电阻测量出来,在计算的时候补偿掉?

请不惜吝教,拜谢了!
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努力希望

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
关于这个问题,首先你的膜厚是多少?还有就是电流一般是-3/-4次量级安培
5楼2015-09-29 09:22:44
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tianwang土豆

新虫 (小有名气)

感谢参与,应助指数 +1
穿越千年: 应助指数-1, 不属于有效应助,请下次注意! 2015-10-05 10:50:36
你是用什么仪器测试的?
3楼2015-09-29 07:59:32
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中华小当家家

铁虫 (小有名气)

我也很关心楼上这个问题。
4楼2015-09-29 08:59:29
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crystalxh

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by tianwang土豆 at 2015-09-29 07:59:32
你是用什么仪器测试的?

霍尔的大磁铁和夹具是国产的,翠海嘉诚的。
测试仪是Keithley4200,分辨率1μV。
6楼2015-09-29 11:04:20
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