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关于霍尔效应测试ito迁移率的问题 已有2人参与
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原理什么的都已经了解清楚了，但在测试时总是问题很多。 ito电阻率很小，大约在10e-4量级，迁移率大约几十的量级，因此相对来说测出的霍尔电压会很小。 但我在测试的过程中，霍尔电压一直很大，电流10mA，磁场0.1T的情况下，霍尔电压是mv级别的（按照迁移率推算应该是几十μV才对）。 我是怀疑是我接触电阻太大的问题，一开始用的是一种银铟合金，看起来像导电银胶一样的东西，涂上效果不太好。 之后我又买了测量霍尔专门制作电极的铟镓（液态金属），但测出来还是mv级别的。 我还怀疑过夹具的问题，是不是导线接触不良，或是夹具的针太细了？不过我微调夹具探针的位置，测出来的霍尔电压基本不变。 想请教大神，这样的现象是不是我做的接触电阻有问题，还是其他的问题，如果是的话应该怎样改善？ 如果不好改善的话， 能不能把接触电阻测量出来，在计算的时候补偿掉？ 请不惜吝教，拜谢了！ |
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4楼2015-09-29 08:59:29
tianwang土豆
新虫 (小有名气)
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3楼2015-09-29 07:59:32
5楼2015-09-29 09:22:44
6楼2015-09-29 11:04:20
40