应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 掺杂对半导体XPS binding energy的影响
51/1返回列表
查看: 2506  |  回复: 4
只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

笃学明志

至尊木虫 (知名作家)

[求助] 掺杂对半导体XPS binding energy的影响

自己当时在写论文的过程中分析时就比较困惑如何从XPS中获取掺杂信息。electron doping后结合能向高处移动，还是向低处移动？
下面是几篇关于MoS2文献中的阐述，也是相互矛盾，求帮助分析解释。
掺杂对半导体XPS binding energy的影响
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-1
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-2
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-3
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-4
回复此楼

» 猜你喜欢
一日红黑，终生红黑！
1楼2015-09-24 21:43:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
不会就这样匿了吧  自己顶一下

发自小木虫Android客户端
赞一下 回复此楼
一日红黑，终生红黑！
2楼2015-09-25 14:08:25
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

caesarly

金虫 (小有名气)
这主要是看主体物质和相对应的元素是什么吧，electron doping会造成主体的金属元素被还原，那么你这里的Mo的d轨道应该向低能级偏移
赞一下 回复此楼

» 本帖已获得的红花（最新10朵）

笃学明志
3楼2015-09-25 15:14:05
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by caesarly at 2015-09-25 15:14:05
这主要是看主体物质和相对应的元素是什么吧，electron doping会造成主体的金属元素被还原，那么你这里的Mo的d轨道应该向低能级偏移

按理论来说应该是这样(电子越多,则对目标原子电荷屏蔽作用增强,对外层电子的束缚力会变小,结合能向低处偏移)  但文献结论也不一致 最重要的是我当时分析自己的数据也是参考文献，N型掺杂XPS结合能向高处移动才和其他数据吻合
赞一下(1人) 回复此楼
一日红黑，终生红黑！
4楼2015-09-25 16:50:36
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 笃学明志 at 2015-09-25 16:50:36
按理论来说应该是这样(电子越多,则对目标原子电荷屏蔽作用增强,对外层电子的束缚力会变小,结合能向低处偏移)  但文献结论也不一致 最重要的是我当时分析自己的数据也是参考文献，N型掺杂XPS结合能向高处移动才和其 ...

感觉应该跟掺杂源和本体之间是否形成化学键有关，形成了化学键会影响费米能级的位置，没有形成化学键则可以按照屏蔽作用的关系解释
赞一下 回复此楼
一日红黑，终生红黑！
5楼2016-08-23 19:51:23
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 笃学明志 的主题更新
51/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭