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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 掺杂对半导体XPS binding energy的影响
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笃学明志

至尊木虫 (知名作家)

[求助] 掺杂对半导体XPS binding energy的影响

自己当时在写论文的过程中分析时就比较困惑如何从XPS中获取掺杂信息。electron doping后结合能向高处移动，还是向低处移动？
下面是几篇关于MoS2文献中的阐述，也是相互矛盾，求帮助分析解释。
掺杂对半导体XPS binding energy的影响
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-1
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-2
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-3
掺杂对半导体XPS binding energy的影响-4
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一日红黑，终生红黑！
1楼2015-09-24 21:43:22
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笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
不会就这样匿了吧  自己顶一下

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一日红黑，终生红黑！
2楼2015-09-25 14:08:25
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caesarly

金虫 (小有名气)
这主要是看主体物质和相对应的元素是什么吧，electron doping会造成主体的金属元素被还原，那么你这里的Mo的d轨道应该向低能级偏移
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笃学明志
3楼2015-09-25 15:14:05
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笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
送红花一朵
引用回帖:
3楼: Originally posted by caesarly at 2015-09-25 15:14:05
这主要是看主体物质和相对应的元素是什么吧，electron doping会造成主体的金属元素被还原，那么你这里的Mo的d轨道应该向低能级偏移

按理论来说应该是这样(电子越多,则对目标原子电荷屏蔽作用增强,对外层电子的束缚力会变小,结合能向低处偏移)  但文献结论也不一致 最重要的是我当时分析自己的数据也是参考文献，N型掺杂XPS结合能向高处移动才和其他数据吻合
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一日红黑，终生红黑！
4楼2015-09-25 16:50:36
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笃学明志

至尊木虫 (知名作家)
引用回帖:
4楼: Originally posted by 笃学明志 at 2015-09-25 16:50:36
按理论来说应该是这样(电子越多,则对目标原子电荷屏蔽作用增强,对外层电子的束缚力会变小,结合能向低处偏移)  但文献结论也不一致 最重要的是我当时分析自己的数据也是参考文献，N型掺杂XPS结合能向高处移动才和其 ...

感觉应该跟掺杂源和本体之间是否形成化学键有关，形成了化学键会影响费米能级的位置，没有形成化学键则可以按照屏蔽作用的关系解释
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一日红黑，终生红黑！
5楼2016-08-23 19:51:23
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