| 查看: 457 | 回复: 1 | ||
[求助]
英译汉求助 在线等等等等 已有1人参与
|
|
To avoid lateral growth and agglomeration of Cu after reflow, a selective deposition profile (thinner field coverage and thicker bottom coverage) is essential as it ultilizes the above-mentioned phenomenon to drive the Cu downwards in to the narrow structures, creating a bottom-up PVD fill. 英译汉！可以意译 |
回复此楼» 猜你喜欢
机械专硕270求调剂，接受跨专业
已经有6人回复
-
材料与化工300求调剂
已经有27人回复
-
一志愿西北工业大学289 085602
已经有10人回复
-
求调剂 材料与工程 324分 专硕
已经有6人回复
-
调剂
已经有6人回复
-
求调剂
已经有5人回复
-
一志愿华东师范生物学326分，求调剂
已经有5人回复
-
还有化工二轮调剂的学校吗
已经有40人回复
-
080100力学316求调剂
已经有5人回复
-
一志愿矿大，材料工程专硕314分，0856可调都可以
已经有13人回复
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
柠檬树(空位代发): 金币+10, 感谢应助 2016-01-05 16:37:47
柠檬树(空位代发): 金币+10, 感谢应助 2016-01-05 16:37:47
|
To avoid lateral growth and agglomeration of Cu after reflow, a selective deposition profile (thinner field coverage and thicker bottom coverage) is essential as it ultilizes the above-mentioned phenomenon to drive the Cu downwards in to the narrow structures, creating a bottom-up PVD fill. 为了避免回流后铜在侧面的增加和结块，必须要具备一种精选的沉积剖面（薄场覆盖和厚底覆盖），这种剖面利用以上提到的现象来驱使铜往下移动进入狭窄的结构中，产生一种底部朝上的PVD装填。 |
2楼2015-09-28 15:13:09
