| 查看: 525 | 回复: 1 | ||
[求助]
英译汉求助 在线等等等等 已有1人参与
|
|
To avoid lateral growth and agglomeration of Cu after reflow, a selective deposition profile (thinner field coverage and thicker bottom coverage) is essential as it ultilizes the above-mentioned phenomenon to drive the Cu downwards in to the narrow structures, creating a bottom-up PVD fill. 英译汉！可以意译 |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI文章，我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI-T0P文章，我:8O.5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
已经有7人回复
-
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有6人回复
-
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有6人回复
-
现代”学阀”该如何界定
已经有14人回复
-
师弟论文见刊大半年才想起来申请专利，还能抢救一下吗？
已经有4人回复
-
有机合成以后会不会被AI改变？做科研的虫友怎么看
已经有8人回复
-
我的奶奶
已经有3人回复
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
柠檬树(空位代发): 金币+10, 感谢应助 2016-01-05 16:37:47
柠檬树(空位代发): 金币+10, 感谢应助 2016-01-05 16:37:47
|
To avoid lateral growth and agglomeration of Cu after reflow, a selective deposition profile (thinner field coverage and thicker bottom coverage) is essential as it ultilizes the above-mentioned phenomenon to drive the Cu downwards in to the narrow structures, creating a bottom-up PVD fill. 为了避免回流后铜在侧面的增加和结块，必须要具备一种精选的沉积剖面（薄场覆盖和厚底覆盖），这种剖面利用以上提到的现象来驱使铜往下移动进入狭窄的结构中，产生一种底部朝上的PVD装填。 |
2楼2015-09-28 15:13:09