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To avoid lateral growth and agglomeration of Cu after reflow, a selective deposition profile (thinner field coverage and thicker bottom coverage) is essential as it ultilizes the above-mentioned phenomenon to drive the Cu downwards in to the narrow structures, creating a bottom-up PVD fill. 英译汉！可以意译 |
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2楼2015-09-24 16:49:43
3楼2015-09-25 07:14:55
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至尊木虫 (知名作家)
Translator and Proofreader
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4楼2015-09-25 08:24:49
