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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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Abskk

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】在单晶硅上磁控溅射TiNi薄膜为什么要在Si表面形成SiO2?

在单晶硅上磁控溅射TiNi记忆合金薄膜为什么要在Si表面形成SiO2?
那为大虾能告诉我原因?

最好能说具体一些,谢谢!

[ Last edited by SHY31 on 2008-8-31 at 14:05 ]
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广泛联系的世界~
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cxm377

银虫 (正式写手)

★ ★
SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流
Abskk(金币+1,VIP+0):总体思想应该是这样的,但如果更具体一些更好,比如说点热膨胀系数,晶格失配什么的!
是由于直接生长TiNi应力很大,势必脱落和影响性能的,所以必须在Si表面先形成SiO2来做下缓冲。这种情况在IC工艺里很常见的,除了TiNi thinfilm,还有想SiN也是这样做的。
祝你好运

[ Last edited by cxm377 on 2008-9-1 at 07:57 ]
洗洗睡吧
2楼2008-09-01 07:52:44
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bielifang

先镀一层SiO2作为过渡层,让TiN薄膜与基体结合得更好。
3楼2008-09-01 09:19:00
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tingyee

金虫 (小有名气)

这应该是晶格失陪太大,直接生长的话是能实现的,但是衬底温度降回室温后,由于应力太大,有可能生长的薄膜会剥皮或炸裂
4楼2008-09-01 14:39:44
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