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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 【求助】在单晶硅上磁控溅射TiNi薄膜为什么要在Si表面形成SiO2？
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Abskk

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】在单晶硅上磁控溅射TiNi薄膜为什么要在Si表面形成SiO2？

在单晶硅上磁控溅射TiNi记忆合金薄膜为什么要在Si表面形成SiO2？
那为大虾能告诉我原因?

最好能说具体一些,谢谢!

[ Last edited by SHY31 on 2008-8-31 at 14:05 ]
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广泛联系的世界~
1楼 2008-08-31 13:33:10
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cxm377

银虫 (正式写手)
★ ★
SHY31(金币+1,VIP+0):谢谢交流
Abskk(金币+1,VIP+0):总体思想应该是这样的,但如果更具体一些更好，比如说点热膨胀系数,晶格失配什么的!
是由于直接生长TiNi应力很大，势必脱落和影响性能的，所以必须在Si表面先形成SiO2来做下缓冲。这种情况在IC工艺里很常见的，除了TiNi thinfilm，还有想SiN也是这样做的。
祝你好运

[ Last edited by cxm377 on 2008-9-1 at 07:57 ]
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洗洗睡吧
2楼2008-09-01 07:52:44
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bielifang

先镀一层SiO2作为过渡层，让TiN薄膜与基体结合得更好。
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3楼2008-09-01 09:19:00
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tingyee

金虫 (小有名气)
这应该是晶格失陪太大，直接生长的话是能实现的，但是衬底温度降回室温后，由于应力太大，有可能生长的薄膜会剥皮或炸裂
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4楼2008-09-01 14:39:44
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