| 查看: 1067 | 回复: 2 | ||
残缺2012新虫 (初入文坛)
|
[求助]
等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜 已有1人参与
|
|
用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜，主要是想在低温下（100℃）能将其成功沉积，前驱体源为四异丙醇钛（TTIP）和O2等离子体，基底是单面抛光的P型硅片，载气为Ar，具体参数如下，请虫友们帮我分析下那个参数不合理导致实验老失败 Heater： 100℃ Purge： 120℃ Pumpline： 150℃ TTIP源瓶加热温度：65℃ Chamber： 100℃ 反应工艺压力：0.15 torr 根据0.15torr的反应压力，设置载气流量，有三个Ar的管道，流量分别为30，20,16 sccm O2等离子体的流量20 sccm Plasma的功率：150W 配方： Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End 1s 2s 100s 15s 40s 500次 以前在TALD上做过TiO2，沉积温度是200℃，现在主要研究低温沉积，所以用了PEALD-100A设备，我觉得影响因素较大的应该是配方中的Dose时间，我试过0.5s，1s和2s，都没有用，请各位大神们指点一二~。~  IMG_6272.JPG |
回复此楼» 猜你喜欢
085601材料工程专硕求调剂，总分310
已经有1人回复
-
277调剂
已经有6人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有167人回复
-
277材料科学与工程080500求调剂
已经有7人回复
-
关于30°不全位错的柏氏回路的绘制
已经有0人回复
-
332求调剂
已经有4人回复
-
A区线材料学调剂
已经有5人回复
-
求调剂
已经有0人回复
zhang882384
金虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 532.2
- 散金: 23
- 帖子: 90
- 在线: 52.2小时
- 虫号: 2187520
- 注册: 2012-12-15
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
2楼2015-09-04 08:09:38
3楼2016-06-06 10:55:40
