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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 成型与控制 » 等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜
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残缺2012

新虫 (初入文坛)

[求助] 等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜 已有1人参与

用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜，主要是想在低温下（100℃）能将其成功沉积，前驱体源为四异丙醇钛（TTIP）和O2等离子体，基底是单面抛光的P型硅片，载气为Ar，具体参数如下，请虫友们帮我分析下那个参数不合理导致实验老失败
Heater： 100℃
Purge： 120℃
Pumpline： 150℃
TTIP源瓶加热温度：65℃
Chamber： 100℃
反应工艺压力：0.15 torr
根据0.15torr的反应压力，设置载气流量，有三个Ar的管道，流量分别为30，20,16 sccm
O2等离子体的流量20 sccm
Plasma的功率：150W
配方： Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End
               1s       2s         100s        15s        40s     500次

以前在TALD上做过TiO2，沉积温度是200℃，现在主要研究低温沉积，所以用了PEALD-100A设备，我觉得影响因素较大的应该是配方中的Dose时间，我试过0.5s，1s和2s，都没有用，请各位大神们指点一二~。~

等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜
IMG_6272.JPG
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1楼 2015-08-19 15:56:10
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zhang882384

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

Ti源选择不好，这个源活性不好

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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a man's sky
2楼2015-09-04 08:09:38
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风行天下2016

新虫 (初入文坛)
师兄！
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3楼2016-06-06 10:55:40
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