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残缺2012

新虫 (初入文坛)

[求助] 等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜 已有1人参与

用等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜,主要是想在低温下(100℃)能将其成功沉积,前驱体源为四异丙醇钛(TTIP)和O2等离子体,基底是单面抛光的P型硅片,载气为Ar,具体参数如下,请虫友们帮我分析下那个参数不合理导致实验老失败
Heater: 100℃
Purge: 120℃
Pumpline: 150℃
TTIP源瓶加热温度:65℃
Chamber: 100℃
反应工艺压力:0.15 torr
根据0.15torr的反应压力,设置载气流量,有三个Ar的管道,流量分别为30,20,16 sccm
O2等离子体的流量20 sccm
Plasma的功率:150W
配方: Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End
               1s       2s         100s        15s        40s     500次

以前在TALD上做过TiO2,沉积温度是200℃,现在主要研究低温沉积,所以用了PEALD-100A设备,我觉得影响因素较大的应该是配方中的Dose时间,我试过0.5s,1s和2s,都没有用,请各位大神们指点一二~。~

等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜
IMG_6272.JPG
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zhang882384

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

Ti源选择不好,这个源活性不好

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
a man's sky
2楼2015-09-04 08:09:38
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风行天下2016

新虫 (初入文坛)

师兄!
3楼2016-06-06 10:55:40
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