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残缺2012新虫 (初入文坛)
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等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜 已有1人参与
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用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备TiO2薄膜，主要是想在低温下（100℃）能将其成功沉积，前驱体源为四异丙醇钛（TTIP）和O2等离子体，基底是单面抛光的P型硅片，载气为Ar，具体参数如下，请虫友们帮我分析下那个参数不合理导致实验老失败 Heater： 100℃ Purge： 120℃ Pumpline： 150℃ TTIP源瓶加热温度：65℃ Chamber： 100℃ 反应工艺压力：0.15 torr 根据0.15torr的反应压力，设置载气流量，有三个Ar的管道，流量分别为30，20,16 sccm O2等离子体的流量20 sccm Plasma的功率：150W 配方： Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End 1s 2s 100s 15s 40s 500次 以前在TALD上做过TiO2，沉积温度是200℃，现在主要研究低温沉积，所以用了PEALD-100A设备，我觉得影响因素较大的应该是配方中的Dose时间，我试过0.5s，1s和2s，都没有用，请各位大神们指点一二~。~  PEALD界面图 |
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3楼2015-09-17 16:38:33
飞儿271
新虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
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- 专业: 无机非金属类电介质与电解
5楼2017-02-20 14:30:06
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