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残缺2012

新虫 (初入文坛)

[求助] 等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜 已有1人参与

用等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜,主要是想在低温下(100℃)能将其成功沉积,前驱体源为四异丙醇钛(TTIP)和O2等离子体,基底是单面抛光的P型硅片,载气为Ar,具体参数如下,请虫友们帮我分析下那个参数不合理导致实验老失败
Heater: 100℃
Purge: 120℃
Pumpline: 150℃
TTIP源瓶加热温度:65℃
Chamber: 100℃
反应工艺压力:0.15 torr
根据0.15torr的反应压力,设置载气流量,有三个Ar的管道,流量分别为30,20,16 sccm
O2等离子体的流量20 sccm
Plasma的功率:150W
配方: Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End
               1s       2s         100s        15s        40s     500次

以前在TALD上做过TiO2,沉积温度是200℃,现在主要研究低温沉积,所以用了PEALD-100A设备,我觉得影响因素较大的应该是配方中的Dose时间,我试过0.5s,1s和2s,都没有用,请各位大神们指点一二~。~

等离子体增强原子层沉积(PEALD)制备TiO2薄膜
PEALD界面图
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love06

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残缺2012: 金币+20, 有帮助 2015-10-22 11:54:33
这个源的问题,我也用过这个源,做不出来,环四二甲氨基钛,就搞定了
3楼2015-09-17 16:38:33
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飞儿271

新虫 (小有名气)

请问你的PEALD是什么型号的
5楼2017-02-20 14:30:06
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