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铜虫 (小有名气)

[求助] 请教关于微电子工艺中离子注入方面的问题，各位有经验的前辈帮帮忙~~~ 已有1人参与

请问各位做微电子工艺的大神，在进行离子注入的时候，一般可以实现注入哪些元素？

另外，可以采用哪些掩膜材料作为保护层，例如Si3N4之类的。

谢谢大家！！！

1楼 2015-07-26 17:08:54

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金虫 (小有名气)

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eileenjj(月牙儿的微笑代发): 金币+5, 感谢参与交流~~ 2015-11-06 18:56:35

就是半导体材料常见的离子注入都可以啊，往硅里注入B和P，其他的Sb，BF2，As之类的都可以吧
一般就是用光刻胶当保护层的
可以先看看书，这些讲注入的书上应该都有

2楼2015-11-06 16:32:09

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金虫 (小有名气)

引用回帖:

2楼: Originally posted by dorrnm at 2015-11-06 16:32:09
就是半导体材料常见的离子注入都可以啊，往硅里注入B和P，其他的Sb，BF2，As之类的都可以吧
一般就是用光刻胶当保护层的
可以先看看书，这些讲注入的书上应该都有

还有你说的氮化硅也可以当保护层，设计工艺的时候根据不同的考虑选用不同的注入粒子和不同的保护层～

3楼2015-11-06 16:42:38

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