| 查看: 745 | 回复: 1 | |||
[交流]
磁控溅射半导体镀电极，漏电流较大 已有1人参与
|
|
如题，现在使用磁控溅射为高阻半导体制备电极 工艺如下：射频溅射Cr 25W,0.4Pa，12A 再制备200nm的Au 现在发现，Cr功率增加后IV测试漏电流较大，Cr功率降低后性能可以，但是结合性较差 亲们，帮帮忙啊~为啥Cr功率增加后IV测试漏电流会变大？？？ |
回复此楼» 猜你喜欢
浙江理工大学省杰青余厚咏教授团队补录招生（申请考核的博士3名 ，公平竞争）
已经有0人回复
-
寻求行程超2.4米，可按美标测几何公差，佛山狮山一带的三坐标设备
已经有2人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有186人回复
-
寻找做兼职的医学同学，长期的（长三角：血管介入医疗器械方面兼职）
已经有882人回复
-
帮助分析一下是否是拒稿重投
已经有3人回复
-
高铝质高强浇注料耐磨性能研究
已经有1人回复
-
树脂浇铸体出现纹理问题是什么原因？
已经有5人回复
-
工作党想考在职研究生
已经有21人回复
perry_ping 
新虫 (职业作家)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 17210.7
- 散金: 100
- 红花: 1
- 帖子: 3003
- 在线: 159.3小时
- 虫号: 3620446
- 注册: 2014-12-30
- 专业: 无机合成和制备化学
2楼2015-07-28 13:35:13
