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磁控溅射半导体镀电极，漏电流较大 已有1人参与
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如题，现在使用磁控溅射为高阻半导体制备电极 工艺如下：射频溅射Cr 25W,0.4Pa，12A 再制备200nm的Au 现在发现，Cr功率增加后IV测试漏电流较大，Cr功率降低后性能可以，但是结合性较差 亲们，帮帮忙啊~为啥Cr功率增加后IV测试漏电流会变大？？？ |
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perry_ping 
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2楼2015-07-28 13:35:13
