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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » N型硅电池P+区钝化为什么Al2O3比SiNx好？
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sunrujun

银虫 (正式写手)

[求助] N型硅电池P+区钝化为什么Al2O3比SiNx好？ 已有1人参与

如题，N型硅电池P+区钝化为什么Al2O3比SiNx好？有解释说Al2O3表面有固定负电荷，钝化p层较好；氮化硅膜表面含有固定正电荷，主要用于钝化n层。各位大虾，请问固定的正负电荷怎么来的呀？
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1楼 2015-07-13 17:24:22
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
p区用alo钝化有负电，利用了场钝化：由于其带负电所以p区少子电子无法扩散到表面，只有正电荷当然无法复合，所以表面复合降低具有钝化效果。
SiN同样原理。

固定正负电荷是由于薄膜沉积过程中缺陷造成的。alo中有氧缺陷故而表现出负电荷。
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2楼2015-07-15 10:59:19
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