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sunrujun

银虫 (正式写手)

[求助] N型硅电池P+区钝化为什么Al2O3比SiNx好? 已有1人参与

如题,N型硅电池P+区钝化为什么Al2O3比SiNx好?有解释说Al2O3表面有固定负电荷,钝化p层较好;氮化硅膜表面含有固定正电荷,主要用于钝化n层。各位大虾,请问固定的正负电荷怎么来的呀?
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
p区用alo钝化有负电,利用了场钝化:由于其带负电所以p区少子电子无法扩散到表面,只有正电荷当然无法复合,所以表面复合降低具有钝化效果。
SiN同样原理。

固定正负电荷是由于薄膜沉积过程中缺陷造成的。alo中有氧缺陷故而表现出负电荷。
2楼2015-07-15 10:59:19
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