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lvyanwei91

铜虫 (小有名气)

[交流] 晶体取向对晶体生长速率的影响(求助)

在单晶体生长过程中,不同晶面的生长速率会随着生长温度和生长时间的推移而变得不同(有些会有很大的差异),这是制约晶体生长速率的一个主要控制因素。不同晶体学取向具有不同的生长速率或许与各个晶体学取向上的原子排布不同有关,或者与其各自的生长激活能有关。但具体主要受那一个因素的影响呢??其具体的影响机理又是怎样的?有哪位高人能告知,不胜感激!!!!
   或者可以从哪些资料书籍上找到相关的。目前只从孟广耀的化学气相沉积一书中有简要叙述。
    另有无高人知道从哪里可以下到《金属物理学》?谢谢

     望不吝赐教!!!!谢谢谢谢!!!
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大家好,我是一名在读博士生,望大家以后多多交流!!
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lvyanwei91

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by kuku5837135 at 2008-7-24 08:33:
主要从热力学和动力学的角度考虑,就我所知,不同添加剂在晶面的吸附可能会影响到其相对生长速率
建议参考仲维卓的《晶体生长形态学》

谢谢!!!!!
大家好,我是一名在读博士生,望大家以后多多交流!!
3楼2008-07-25 10:35:37
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kuku5837135

银虫 (正式写手)

主要从热力学和动力学的角度考虑,就我所知,不同添加剂在晶面的吸附可能会影响到其相对生长速率
建议参考仲维卓的《晶体生长形态学》
2楼2008-07-24 08:33:18
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