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声表面波滤波器（SAW filter）之叉指换能器（IDT）设计，大家有什么好的建议没。
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本人想设计一种比较简单的声表面波器件，通过器件性能测试来表征AlN压电薄膜的压电系数d33、机电耦合系数等基本参数，但偶对器件设计设计基本是一窍不通，毕竟不是这个专业的（俺是搞材料的），不知道如何设计mask、光刻工艺等等后续加工步骤。 初步构想是，IDT指宽1μm，指间距等于指宽，指采用Al膜，厚度200nm，和微电子所老师沟通采用负胶（但他们毕竟不是做SAW的，没有给出过多的建议）， 那么问题来了，试样大小一般10*10mm（比较小），多片（大概5、6片吧，厚度基本一致） 1、一般指对数一般用多少（30对合适吗）？ 2、指间重叠区域的长度有什么原则？ 3、两边的吸声材料一般选择什么材料，如何设计形状位置、沉积工艺等？ 4、引出的电极一般如何设计？选用材料、引出位置、长度等？ 5、输入端与输出端IDT之间的间隔一般多远？ 6、若想同时对多个衬底表面进行掩膜、光刻，而微电子所一般采用2.5inch的板，如何排布我的试样，可以保证表面基本处于同一水平位置？ 7、其他未尽事宜，也请大家多多补充，给出建议。 Note：此贴也算是对IDT设计的综合帖靶，希望大家踊跃发言，可能的话，对以后关注这方面的人也能提供点帮助，不要心疼我的金币，跟帖越多金币越多哦。 |
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23楼2015-06-10 10:10:05
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Walnut19楼
2015-06-04 23:06
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zbnet(金币+1): 谢谢参与
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