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todouwei

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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楼主,在Si片上我用磁控溅射镀过银,加一点温度,完成后原位退火一定时间,经检测可以形成一定结合强度的欧姆接触。希望对你有帮助。
21楼2015-05-19 12:41:55
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)

引用回帖:
21楼: Originally posted by todouwei at 2015-05-19 12:41:55
楼主,在Si片上我用磁控溅射镀过银,加一点温度,完成后原位退火一定时间,经检测可以形成一定结合强度的欧姆接触。希望对你有帮助。

嗯,银是比较省事的,和Si粘附比较好,而且导电性够好,只要不怕氧化的场合,可以推荐
22楼2015-05-19 13:01:04
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BigJack

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
在Si柱/片上可以用化学镀Au或者蒸镀,得到几十纳米厚的连续岛状金膜,直接用于电催化测试,所以导电性木有问题;粘附性可以通过退火处理来进一步提升,同时趋向一定的晶面趋向;具体可参考以下论文:
1. Miyake H, Ye S, Osawa M. Electroless deposition of gold thin films on silicon for surface-enhanced infrared spectroelectrochemistry[J]. Electrochemistry Communications, 2002, 4(12): 973-977.
2. Sun S G, Cai W B, Wan L J, et al. Infrared absorption enhancement for CO adsorbed on Au films in perchloric acid solutions and effects of surface structure studied by cyclic voltammetry, scanning tunneling microscopy, and surface-enhanced IR spectroscopy[J]. The Journal of Physical Chemistry B, 1999, 103(13): 2460-2466.
3. 阳耀月, 张涵轩, 蔡文斌. 电化学表面增强红外光谱技术进展[J]. 电化学, 2013, 19(001): 6-16.
23楼2015-05-19 17:37:23
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willyion6688

木虫 (正式写手)

引用回帖:
12楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-05-18 15:11:24
嗯,那样的话,你可以委托别人加工啥的,你镀厚只能解决导电性问题,粘结性还是解决不了,Si和Au的热胀系数差太多,一加热就分开了,退火没有用的,Ag就不会出现这种问题...

如果是Sio2基片和Au他们的热膨胀系数也相差很多吗?我也是跟版主一样的问题,Au很容易脱落,粘附性不好。特别是在剥离的时候。整片的掉啊 。
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24楼2016-06-07 20:24:12
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willyion6688

木虫 (正式写手)

引用回帖:
22楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-05-19 13:01:04
嗯,银是比较省事的,和Si粘附比较好,而且导电性够好,只要不怕氧化的场合,可以推荐...

如果是SiO2基片和银的接触会怎么样?
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25楼2016-06-07 20:27:08
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

26楼2016-09-09 23:39:43
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xiaoyueriyue

金虫 (正式写手)

如果没有粘附层直接镀金是很容易剥离的,最好先溅射钛或者铬的粘附层,再选择镀金

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27楼2016-09-10 07:22:38
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xiangan315

至尊木虫 (文坛精英)

6到7纳米的金薄膜退火后会裂成均匀的金颗粒,退火方案行不通的

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28楼2016-09-10 12:31:07
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