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982693965

版主 (著名写手)

小白鼠先生

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[求助] 求教MoS2光电响应问题 已有1人参与

麻烦懂得的大神们前来指导小弟啊,我做了都快一年了,一开始用水热的方法合成Ti基底上生长MoS2纳米花球,但是测试其光电流响应时(设置的bias是0.3V vs. SCE ),发现在可见光照射下没有响应啊,这不应该啊。我后来又尝试用电化学的方法让MoS2电沉积到Ti基底上,发现再测I-T曲线的时候,还是没有响应,发现Ti表面还脱落一些MoS2下来,这又是怎么回事啊?真的很忧伤啊。希望有人能帮帮我。
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longyangtdm

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
982693965: 金币+5, 有帮助, 谢谢反馈。 2016-03-28 21:13:31
你做的东西我不是很懂,我觉得你可以考虑一下以下几点原因:
1)你做的MoS2 纳米花球是不是可见光区的半导体(禁带宽度)
2)MoS2 纳米花球在Ti片上的结合度怎么样?能不能稳定存在。
3)可以在OCP下先测测光电响应。
4)是不是加了(空穴或电子消耗剂)。n型半导体的话一般用Na2S
5)电化学工作站参数设置问题。
2楼2016-03-28 19:28:31
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