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982693965

版主 (著名写手)

小白鼠先生

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[求助] 求教MoS2光电响应问题已有1人参与

麻烦懂得的大神们前来指导小弟啊，我做了都快一年了，一开始用水热的方法合成Ti基底上生长MoS2纳米花球，但是测试其光电流响应时（设置的bias是0.3V vs. SCE ）,发现在可见光照射下没有响应啊，这不应该啊。我后来又尝试用电化学的方法让MoS2电沉积到Ti基底上，发现再测I-T曲线的时候，还是没有响应，发现Ti表面还脱落一些MoS2下来，这又是怎么回事啊？真的很忧伤啊。希望有人能帮帮我。

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【追溯本源】

1楼 2015-05-15 21:47:06

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longyangtdm

新虫 (初入文坛)

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专业: 样品前处理方法与技术

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
982693965: 金币+5, ★有帮助, 谢谢反馈。 2016-03-28 21:13:31

你做的东西我不是很懂，我觉得你可以考虑一下以下几点原因：
1）你做的MoS2 纳米花球是不是可见光区的半导体（禁带宽度）
2）MoS2 纳米花球在Ti片上的结合度怎么样？能不能稳定存在。
3）可以在OCP下先测测光电响应。
4）是不是加了（空穴或电子消耗剂）。n型半导体的话一般用Na2S
5)电化学工作站参数设置问题。

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2楼2016-03-28 19:28:31

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