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HSE 和 PBE 已有7人参与
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| 最近联系了HSE方法，计算了半导体的能带，和实验值相近，但师兄说在接下来的体系性质计算中，HSE态耗时，用PBE就可以，这一点我不太明白为什么。我有两个问题，第一，既然PBE不能准确的计算体系的能带，为什么还要用它算体系的性质？第二，师兄说计算态密度也用PBE的方法就可以，这个我也不明白，能带不准确，态密度就准确吗？还望大家多多指导交流，困惑已久。 |
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3楼2015-05-12 19:55:08
wmy8802217
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2楼2015-05-12 16:01:43
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4楼2015-05-12 22:32:43
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
ljw4010: 金币+2, 谢谢交流！ 2015-05-15 20:15:21
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
ljw4010: 金币+2, 谢谢交流！ 2015-05-15 20:15:21
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第一，既然PBE不能准确的计算体系的能带，为什么还要用它算体系的性质？ > 就我所知 PBE 不準的是在 "能隙" (band gap) 而不是 "能帶" (band structure) "fermi level 以下的能帶" (occupied states) PBE 可以算是蠻準的 若是要算出正確 "能隙"，才會需要 HSE 第二，师兄说计算态密度也用PBE的方法就可以，这个我也不明白，能带不准确，态密度就准确吗？ > 原因同上 "fermi level 以下能帶"是準的，"能隙"是不準的 |
5楼2015-05-13 07:27:25
