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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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我是砖头

银虫 (小有名气)

[求助] castep计算问题

最近在看文献,看到用castep计算时提到单点能的计算,单点能计算是计算什么啊,实在不懂!求大神指点
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卡开发发

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fzx2008: 金币+1, 谢谢回复 2015-05-23 08:51:02
仅做能量计算,即常常提到的“电子自洽”。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
2楼2015-05-07 14:44:32
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我是砖头

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-05-07 14:44:32
仅做能量计算,即常常提到的“电子自洽”。

只做能量计算是properties项中不勾选任何选项的意思吗?
3楼2015-05-08 16:25:08
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卡开发发

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Ab Initio Amateur

引用回帖:
3楼: Originally posted by 我是砖头 at 2015-05-08 16:25:08
只做能量计算是properties项中不勾选任何选项的意思吗?...

也可勾选,通常对于纯泛函计算properties的计算是通过非自洽进行的,杂化泛函似乎不行,有些处理需要额外自洽。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
4楼2015-05-08 21:36:57
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我是砖头

银虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-05-08 21:36:57
也可勾选,通常对于纯泛函计算properties的计算是通过非自洽进行的,杂化泛函似乎不行,有些处理需要额外自洽。...

能追问一个问题吗?单点能和优化后的总能量有什么区别?
5楼2015-05-22 10:30:08
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卡开发发

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Ab Initio Amateur

★ ★ ★ ★
我是砖头(fzx2008代发): 金币+2, 谢谢指导 2015-05-23 08:51:44
ljw4010: 金币+2, 谢谢指导解答! 2015-05-23 20:45:55
引用回帖:
5楼: Originally posted by 我是砖头 at 2015-05-22 10:30:08
能追问一个问题吗?单点能和优化后的总能量有什么区别?...

单点能对结构是不进行优化的,但却是结构优化的一个环节,写成循环
                 初始结构
————————|
↑                      ↓
|              单点能计算
|                      ↓
|             计算力、位移
|                      |
|       no           ↓                              yes
|——————能量、力、位移是否收敛————→结束计算
按照算出的位移移动原子
产生新的结构,再计算能量。。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
6楼2015-05-22 15:15:40
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yebitai

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-05-22 15:15:40
单点能对结构是不进行优化的,但却是结构优化的一个环节,写成循环
                 初始结构
————————|
↑                      ↓
|              单点能计算
|                      ↓
|     ...

您好,请问第一步结构优化完,再进行第二步单点能能计算,性质选能带:在第二步中,还进行SCF自洽循环吗?
因为以前用VASP算时,总有个印象是分三步,下一步比上一步K点要多选些,现在用castep,就不知道electron中那个设置K点的,对应的是VASP中结构优化,还是SCF中对k的设置呢?
7楼2015-05-23 08:15:48
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卡开发发

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Ab Initio Amateur

引用回帖:
7楼: Originally posted by yebitai at 2015-05-23 08:15:48
您好,请问第一步结构优化完,再进行第二步单点能能计算,性质选能带:在第二步中,还进行SCF自洽循环吗?
因为以前用VASP算时,总有个印象是分三步,下一步比上一步K点要多选些,现在用castep,就不知道electron ...

我写的循环比较简单,实际上离子弛豫(结构优化)过程除了第一步是完全自洽的,初始波函数有自由原子密度堆叠而来,后面每一步的波函数初值都是来自上一步的结果,这个你要了解SCF的过程才会清楚。

对于磁性体系、半金属、金属这样的体系,一般建议提升k减小sigma(MS下对于电子占据选项的smearing,默认采用的是Gaussian展宽,也能换成别的)来进行一次自洽计算(Task=Energy),并且在性质中勾选能带、态密度等直接进行非自洽计算,这样原来vasp中后两步自洽和非自洽一次性就能做完。

对于绝缘且无磁性的体系,可按照上述方法做,也可固定占据(对应Blochl校正的四面体方法),原则上这样不必额外做自洽,可以直接勾选性质。

对于上述流程图,每一步优化都是要做SCF的,这个k指的是SCF的也是离子弛豫的,并无不同。但是非自洽过程的k则是在properties中设置的。
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8楼2015-05-23 13:56:02
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