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strandtju银虫 (正式写手)
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交换偏置怎么也做不出来,请各位大神指教! 已有1人参与
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小弟近来在做Ni81Fe19/Fe50Mn50双层膜的交换偏置,但试了一个多月,怎么也做不出来,老板逼的又紧,请各位大神指教! 具体参数:Si(100)衬底(有300nm的氧化层),磁控溅射,base pressure 小于5×10^-7 Torr,先生长了15 nm 的Cu作缓冲层,然后在 180 Oe 磁场下生长 NiFe(5 nm),FeMn( 6 nm),溅射功率15W,生长速率~0.7nm/min,最后生长2 nm Cu作保护层,每层长完后等待20min继续生长下一层。生长完成后等真空度恢复到5×10^-7 Torr时进行原位退火,升降温速率2K/min,保持在160 ℃ 10min。 我实在不知道哪一步出了问题,特请教于各位方家! |
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薄膜制备与特性 |
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strandtju
银虫 (正式写手)
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