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strandtju银虫 (正式写手)
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交换偏置怎么也做不出来，请各位大神指教！ 已有1人参与
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小弟近来在做Ni81Fe19/Fe50Mn50双层膜的交换偏置，但试了一个多月，怎么也做不出来，老板逼的又紧，请各位大神指教！ 具体参数：Si（100）衬底（有300nm的氧化层），磁控溅射，base pressure 小于5×10^-7 Torr，先生长了15 nm 的Cu作缓冲层，然后在 180 Oe 磁场下生长 NiFe（5 nm），FeMn（ 6 nm），溅射功率15W，生长速率~0.7nm/min，最后生长2 nm Cu作保护层，每层长完后等待20min继续生长下一层。生长完成后等真空度恢复到5×10^-7 Torr时进行原位退火，升降温速率2K/min，保持在160 ℃ 10min。 我实在不知道哪一步出了问题，特请教于各位方家！ |
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 薄膜制备与特性 |
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strandtju
银虫 (正式写手)
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