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strandtju

银虫 (正式写手)

[交流] 交换偏置怎么也做不出来,请各位大神指教! 已有1人参与

小弟近来在做Ni81Fe19/Fe50Mn50双层膜的交换偏置,但试了一个多月,怎么也做不出来,老板逼的又紧,请各位大神指教!
具体参数:Si(100)衬底(有300nm的氧化层),磁控溅射,base pressure 小于5×10^-7 Torr,先生长了15 nm 的Cu作缓冲层,然后在 180 Oe 磁场下生长 NiFe(5 nm),FeMn( 6 nm),溅射功率15W,生长速率~0.7nm/min,最后生长2 nm Cu作保护层,每层长完后等待20min继续生长下一层。生长完成后等真空度恢复到5×10^-7 Torr时进行原位退火,升降温速率2K/min,保持在160 ℃ 10min。
我实在不知道哪一步出了问题,特请教于各位方家!
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山外青山
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落草为理

铜虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你可以测个XRD看看有没有诱导出FeNi的111织构
2楼2015-06-09 22:23:00
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strandtju

银虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 落草为理 at 2015-06-10 02:23:00
你可以测个XRD看看有没有诱导出FeNi的111织构

谢谢!已经解决了,FeMn靶变质了。
山外青山
3楼2015-06-09 22:46:45
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