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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【求助】急问-请教薄膜方面专家
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freeman3

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】急问-请教薄膜方面专家

急问-请教薄膜方面专家
最近想做一些物理法渡膜的工作，但是对有些基本的问题还不是太懂，在这里请教一下。

对于目前常用的镀膜方法，比如 electron-beam deposition, ion-beam depositon（Ar+）, radio-frequency 磁控溅射，这三个方法比起来，是不是在精确度方面e-beam>ion-beam>磁控溅射？

  此外，film的质量呢？比如多孔性，疏松性，结晶性质等，是否有什么区别？

我现在用的是Ar离子辅助的 ion-beam deposition，所以更想知道这个方法得到的膜的一些特征（target为SiO2，设备为Gatan 682 precise etching and deposition system）。

非常感谢

[ Last edited by caosw2001 on 2008-8-28 at 09:24 ]
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1楼 2008-07-08 17:04:32
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hrandy

金虫 (正式写手)
★
caosw2001(金币+1,VIP+0):谢谢应助
如果想做器件，磁控溅射lift-off会比较困难，图案准确性差，而且造成衬底发热可能造成掩模的损伤。E-Beam会好点，图案的准确性好一些。
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2楼2008-07-08 17:56:00
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freeman3

铁虫 (小有名气)
嗯，我现在还没有到器件这一步，主要是想先看看利用ion-beam 渡上去的film的性质，比如多孔性/结晶性等。不知道ion-beam渡的SiO2 film是否呈现多孔的性质？
最起码来说，这种方法得到的film应该没有热氧化Si片得到的那么致密和均匀，是不是呢？

谢谢
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3楼2008-07-08 18:47:55
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