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国内大型芯片企业招聘研发人才（倒装芯片）
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招聘倒装芯片的人才，有国外研发经验或外籍人士优先考虑。 工作职责： o 设计与模拟高功率InGaN倒装LED芯片。 o 设计高功率InGaN倒装LED芯片制造工艺和集成。 o 高功率InGaN倒装LED芯片电和光学表征。 o 优化大功率倒装InGaN LED芯片的光和电学性能。 任职资格： o 经验要求：2-10年大中型LED/半导体研发相关工作经验。 o 专业要求：材料，物理，化学，电子等理工类相关专业。 o 学历要求：本科或以上。 o 语言要求：精通英语。 o 知识要求：拥有超过2年大功率LED芯片设计经验。丰富的LED器件物理知识。设计高功率LED芯片成功的经历。谙练各种LED设计与模拟软件，例如SimuLED。熟悉高功率LED芯片制造工艺。熟悉高功率LED芯片封装工艺。 o 能力要求，优秀的团队的管理能力，协调组织能力，沟通能力以及影响能力。 工作职责： o 光刻新工艺研发及现有光刻工艺改进，确保达到设定目标，完成技术报告并负责制定工艺标准及技术规范。 o 调试光刻工艺，满足后续干法、湿法刻蚀或Lift off对光刻胶profile的要求。 o 新光刻工艺导入，负责协调工程和生产部门，转移新研发的工艺技术，确保成功量产，并建立和优化新工艺操作流程。 o 为各个研发项目提供必要的光刻工艺技术支持，完成新工艺开发的技术攻关。 任职资格： o 经验要求：5年左右半导体IC行业光刻工作经验。 o 专业要求：材料，物理，化学，电子等理工类相关专业。 o 学历要求：本科及以上。 o 年龄要求：〉25~32岁。 o 语言要求：英语熟练。 o 知识要求：5年左右半导体IC光刻工艺或研发工程师经验，精通光刻工艺原理。能够熟练使用各种涂胶、曝光及显影设备，特别是需要手动操作的低端光刻机，例如ASML，Nikon，CND等，有手动涂胶，曝光及显影的经验。熟悉多种光刻胶性能，包括正胶和负胶，能够根据不同工艺技术需求选择合适光刻胶，会使用FEM方法选定最佳光刻工艺技术参数。会使用AutoCAD制作光罩图档，会使用JMP，Minitab等工程软件分析实验结果，能够运用FMEA分析项目风险，设计DOE进行工艺条件确定及优化。 o 能力要求：优秀的自我管理能力，沟通能力以及团队合作精神，能够在压力下开展工作。 |
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