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能带带隙和有效质量对导电性的影响
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请教大家一个问题。最近计算出来一维Si3N4纳米带的能带带隙比较窄，大概2eV左右，有的甚至只有0.5eV，如果只看带隙的话，好像导电性很好对吧？但是发现能带图中的曲线非常平直，也就是说空穴和电子的有效质量非常大，而有效质量越大说明载流子运动能力很差，不容易导电。对于这种带隙很窄，但有效质量很大的情况，应该说它的导电性是好还是不好呢？ |
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