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mamin2818380新虫 (初入文坛)
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大神帮忙分析下，这个CV图有没有氧化还原峰 N]0N7A9A]G2LC8J4~(VP3VL.png |
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这个问题一开始我也想知道，后来在小木虫上问，有人这么说但也没说为什么，文献上也很多关于这个现象，但都没有具体解释 后来我是这么思考，因为倍率性能的本质是啥，就是电极的内阻，如果有氧化还原反应，在低扫速下，内阻的作用不显著，所以电子依然可以流通。 但如果在高扫速（CV）或者高电流下充放电（CP）时候，由于U=IR，那么内阻所占的电压就非常大，再加上，如果内阻和电容是串联，较大的内阻占去了大部分电压，那么实际充放电几乎不会实现了（IR降过大，这里的R一般是与体系串联的），也就是说电子无法流通实现赝电容的平台，所以在大电流或者大扫速下电容器就失效，就是俗话说的倍率性能差。 那这个CV峰不仅位移（可逆性降低），而且峰减弱，就是这个道理 如果在50V/s 扫速下，峰位移不明显且依然显著，那么这个材料倍率性能就好 我也是初学，说错勿拍砖。。。 |
9楼2015-04-09 12:49:54
izhangxing
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10楼2015-04-10 09:20:49
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2楼2015-04-08 21:21:24
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