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mamin2818380新虫 (初入文坛)
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hyt365dn
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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这个问题一开始我也想知道,后来在小木虫上问,有人这么说但也没说为什么,文献上也很多关于这个现象,但都没有具体解释 后来我是这么思考,因为倍率性能的本质是啥,就是电极的内阻,如果有氧化还原反应,在低扫速下,内阻的作用不显著,所以电子依然可以流通。 但如果在高扫速(CV)或者高电流下充放电(CP)时候,由于U=IR,那么内阻所占的电压就非常大,再加上,如果内阻和电容是串联,较大的内阻占去了大部分电压,那么实际充放电几乎不会实现了(IR降过大,这里的R一般是与体系串联的),也就是说电子无法流通实现赝电容的平台,所以在大电流或者大扫速下电容器就失效,就是俗话说的倍率性能差。 那这个CV峰不仅位移(可逆性降低),而且峰减弱,就是这个道理 如果在50V/s 扫速下,峰位移不明显且依然显著,那么这个材料倍率性能就好 我也是初学,说错勿拍砖。。。 |
9楼2015-04-09 12:49:54
hyt365dn
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2楼2015-04-08 21:21:24
mamin2818380
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3楼2015-04-08 21:42:21
jine3902
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4楼2015-04-09 08:58:29











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