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与或非1992

木虫 (正式写手)

[交流] 水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？ 已有6人参与

采用水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落（如下图），为什么？请教大神。
大家在ITO基底上沉积水热合成材料是都是什么步骤啊？
我个人分析有两个原因：一是ITO预处理不够干净，导致水热生长结合力弱；
二是水热配方不合适，沉积层过厚，有应力，加热导致脱落。
请各位大神不吝指教。

水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？
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水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？-1
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水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？-2
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水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？-3
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水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？-4
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水热法在ITO基底上合成氧化钴，但煅烧后，氧化钴脱落，为什么？-5
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1楼 2015-03-29 15:41:04
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11-22

银虫 (小有名气)
★
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一般都是膨胀系数不一致，造成在升温降温过程中不同材料界面应力增大，出现蹦壳现象。可能原因是界面清洁不到位，氧化钴本身缺陷多，内应力大，还有就是升温降温速率太大。

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9楼2015-03-30 13:06:37
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer
★
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感觉还是因为两种材料之间热膨胀系数相较大引起的脱落。

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2楼2015-03-29 16:23:23
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与或非1992

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2015-03-29 16:23:23
感觉还是因为两种材料之间热膨胀系数相较大引起的脱落。

谢谢。下一次在做样品试试降低加热速率
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3楼2015-03-29 17:55:19
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer
★
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不只是要降低加热速率，更重要的是要在ITO和氧化钴之间先镀一层热膨胀系数正好居于二者之间的过渡层膜。如此可有效缓解热应力引起的脱落。

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4楼2015-03-29 17:58:49
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
★
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感觉太厚了，这颜色估计至少有好几个微米，基底粘不住了
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5楼2015-03-29 19:41:46
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与或非1992

木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by peterflyer at 2015-03-29 17:58:49
不只是要降低加热速率，更重要的是要在ITO和氧化钴之间先镀一层热膨胀系数正好居于二者之间的过渡层膜。如此可有效缓解热应力引起的脱落。

需要用到ITO的导电层，这样做也太麻烦了
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6楼2015-03-29 20:59:29
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与或非1992

木虫 (正式写手)
引用回帖:
5楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-29 19:41:46
感觉太厚了，这颜色估计至少有好几个微米，基底粘不住了

多谢
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7楼2015-03-29 20:59:50
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)
★
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引用回帖:
7楼: Originally posted by 与或非1992 at 2015-03-29 20:59:50
多谢...

另外粘附层一般用在干法制备的时候，磁控溅射一类的，一般情况溶液相法不需要
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8楼2015-03-29 21:11:59
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tangshi141

木虫 (正式写手)
★
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ITO 表面处理 用O3 等离子处理增加亲水性  尝试减少应力可以加入较薄插入层
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10楼2015-03-30 13:39:32
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