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与或非1992

木虫 (正式写手)

[交流] 水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么? 已有6人参与

采用水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落(如下图),为什么?请教大神。
大家在ITO基底上沉积水热合成材料是都是什么步骤啊?
我个人分析有两个原因:一是ITO预处理不够干净,导致水热生长结合力弱;
二是水热配方不合适,沉积层过厚,有应力,加热导致脱落。
请各位大神不吝指教。

水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?
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水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?-1
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水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?-2
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水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?-3
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水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?-4
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水热法在ITO基底上合成氧化钴,但煅烧后,氧化钴脱落,为什么?-5
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11-22

银虫 (小有名气)


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一般都是膨胀系数不一致,造成在升温降温过程中不同材料界面应力增大,出现蹦壳现象。可能原因是界面清洁不到位,氧化钴本身缺陷多,内应力大,还有就是升温降温速率太大。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
9楼2015-03-30 13:06:37
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer



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感觉还是因为两种材料之间热膨胀系数相较大引起的脱落。

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2楼2015-03-29 16:23:23
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与或非1992

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by peterflyer at 2015-03-29 16:23:23
感觉还是因为两种材料之间热膨胀系数相较大引起的脱落。

谢谢。下一次在做样品试试降低加热速率
3楼2015-03-29 17:55:19
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer



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不只是要降低加热速率,更重要的是要在ITO和氧化钴之间先镀一层热膨胀系数正好居于二者之间的过渡层膜。如此可有效缓解热应力引起的脱落。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
4楼2015-03-29 17:58:49
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


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感觉太厚了,这颜色估计至少有好几个微米,基底粘不住了
5楼2015-03-29 19:41:46
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与或非1992

木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by peterflyer at 2015-03-29 17:58:49
不只是要降低加热速率,更重要的是要在ITO和氧化钴之间先镀一层热膨胀系数正好居于二者之间的过渡层膜。如此可有效缓解热应力引起的脱落。

需要用到ITO的导电层,这样做也太麻烦了
6楼2015-03-29 20:59:29
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与或非1992

木虫 (正式写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by gxytju2008 at 2015-03-29 19:41:46
感觉太厚了,这颜色估计至少有好几个微米,基底粘不住了

多谢
7楼2015-03-29 20:59:50
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


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引用回帖:
7楼: Originally posted by 与或非1992 at 2015-03-29 20:59:50
多谢...

另外粘附层一般用在干法制备的时候,磁控溅射一类的,一般情况溶液相法不需要
8楼2015-03-29 21:11:59
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tangshi141

木虫 (正式写手)


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ITO 表面处理 用O3 等离子处理增加亲水性  尝试减少应力可以加入较薄插入层
10楼2015-03-30 13:39:32
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