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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » Tafel曲线问题
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ljmei

木虫 (初入文坛)

[交流] Tafel曲线问题

我测试的Si在HF酸中腐蚀（施加3V电压）形成多孔硅前后的tafel变化的图片，实验后在较低电位时就出现了斜率较大的类似扩散的行为，按理说这是电位范围应该不会出现扩散控制过程，我想是因为形成了纳米多孔结构的原因，但不知道怎么影响的。请教高手有没有合理的原因和解释？
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1楼 2008-06-20 21:34:53
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wlb0707

木虫 (正式写手)
关注一下，俺也不知道
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2楼2008-06-21 14:37:32
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ljmei

木虫 (初入文坛)
没有人知道吗？
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3楼2008-06-23 19:07:46
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donglaipeng

木虫 (初入文坛)
你应该把你的tafel曲线图列出来啊，不然怎么分析，谁愿意花金币去帮忙啊～
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4楼2008-06-24 15:33:52
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ljmei

木虫 (初入文坛)
我发现上传之后就这样了，我没要求加金币，自己还奇怪呢，不过怎么把图直接列出来？
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5楼2008-06-24 19:03:21
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zhoulei

木虫 (小有名气)
我想可能是由于Si在HF酸中腐蚀过后，表面状况发生了变化所导致的。导致后来在低腐蚀电位下不容易腐蚀（腐蚀电位更高），当电位超过一定值的时候，腐蚀速度又大大加快（腐蚀电流变得很大）。
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6楼2008-09-16 07:18:29
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zhangyong2007

铜虫 (初入文坛)

谢谢

收到。谢谢!
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阳光
7楼2008-09-16 11:05:37
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