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[交流]
Tafel曲线问题
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| 我测试的Si在HF酸中腐蚀（施加3V电压）形成多孔硅前后的tafel变化的图片，实验后在较低电位时就出现了斜率较大的类似扩散的行为，按理说这是电位范围应该不会出现扩散控制过程，我想是因为形成了纳米多孔结构的原因，但不知道怎么影响的。请教高手有没有合理的原因和解释？ |
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