| 查看: 769 | 回复: 1 | |||
可_柯木银虫 (初入文坛)
|
[求助]
关于测试氧化铝薄膜的I-V曲线,总是出现接触势垒的问题? 已有1人参与
|
| 大家好,我在硅铂片的铂面用电子束蒸发制备了5μm厚的氧化铝薄膜,之前用阻蒸做的NiAu上电极,测I-V曲线时,总是容易出现接触势垒的情况,请问是什么原因?谢谢! |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
待下载 |
» 猜你喜欢
一志愿浙大生物325分求调剂
已经有4人回复
0831一轮调剂失败求助
已经有8人回复
本科南方医科大学 一志愿985 药学学硕284分 求调剂
已经有5人回复
295分求调剂
已经有12人回复
调剂求收留
已经有25人回复
272分材料子求调剂
已经有49人回复
211本科材料化工求调剂
已经有16人回复
279学硕食品专业求调剂院校
已经有12人回复
一志愿双非085400电子信息344 求调剂,对材料和化学方向也感兴趣
已经有11人回复
279求调剂
已经有8人回复
caoxiafei
专家顾问 (著名写手)
研发工程师-Topcon/HJT电池
-

专家经验: +112 - 应助: 184 (高中生)
- 贵宾: 0.018
- 金币: 5035
- 散金: 6
- 红花: 23
- 帖子: 1218
- 在线: 434.3小时
- 虫号: 832355
- 注册: 2009-08-22
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
- 管辖: 功能材料
2楼2015-03-12 12:15:23













回复此楼