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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 关于测试氧化铝薄膜的I-V曲线，总是出现接触势垒的问题？
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可_柯木

银虫 (初入文坛)

[求助] 关于测试氧化铝薄膜的I-V曲线，总是出现接触势垒的问题？ 已有1人参与

大家好，我在硅铂片的铂面用电子束蒸发制备了5μm厚的氧化铝薄膜，之前用阻蒸做的NiAu上电极，测I-V曲线时，总是容易出现接触势垒的情况，请问是什么原因？谢谢！
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1楼 2015-03-11 17:10:30
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caoxiafei

专家顾问 (著名写手)

研发工程师-Topcon/HJT电池

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你自己画一下能带结构图就能明白了，建议将Ni/Au 换为Al/Ni/Au,或Al/Au
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2楼2015-03-12 12:15:23
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