| 查看: 438 | 回复: 0 | ||
xfsong.hust银虫 (初入文坛)
|
[求助]
已知缺陷能级，求消除缺陷的退火温度
|
| 求助，已知半导体中bandgap=4.04eV，缺陷能级为2.22eV，请问要在多大温度下退火能消除缺陷，还有这个计算公式是什么样的 |
回复此楼» 猜你喜欢
咨询面上基金
已经有5人回复
-
影响面上的因素
已经有9人回复
-
8月时间戳变的，举个手。玩一下，释放压力
已经有11人回复
-
一个有机合成实验室都需要哪些设备？
已经有11人回复
-
求各位大神看下
已经有23人回复
-
面上再次挂了，太难了，躺也躺不了，倦也卷不过，小学校之殇！
已经有30人回复
-
2027年申博
已经有4人回复
-
好消息？这个有何含义？？？
已经有10人回复
-
【2027博士申请】纳米药物递送方向
已经有4人回复
-
UV压敏胶开发
已经有7人回复
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
缺陷能带结构中的能级与缺陷形成能计算中的转变能级的问题
已经有13人回复
- 关于钙钛矿太阳能电池短路电流过小的原因
已经有28人回复
- 求助有关金属氧化物导电性
已经有6人回复
- ZnO本征缺陷对应缺陷态能级位置
已经有3人回复
- 请详细解释一下缺陷态密度和缺陷态分布
已经有7人回复
- 关于焊接问题。
已经有10人回复
- 铝酸镧单晶衬底加热变黄的原因
已经有3人回复
- 【求助】castep计算是否可以判断出缺陷能级是施主还是受主？
已经有6人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人