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1楼 2015-03-04 09:03:51

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初之

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顶一下，我也遇到过这种情况，二氧化铈分别以Ce和O终结，结果只有以Ce终结的可以优化成功。

念念不忘，必有回响。

2楼2015-03-04 10:48:31

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卡开发发

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不知模型是否都符合计量比，另外，不同暴露面（上下表面都算）对于体系而言前线电子密度不同，适当调节density mixing可以利于收敛。

不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。

6楼2015-03-05 12:56:46

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@Ellete-blue

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引用回帖:

9楼: Originally posted by whqiaoling at 2015-03-06 15:43:28
模型不满足化学计量比，是不是需要删除部分原子，一般删除哪些原子？...

建模的时候控制层的厚度就可以做到电中性，不需要删除原子，通常让厚度保持晶胞边长的整数倍，体系自然是电中性的。

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10楼2015-03-06 16:48:59

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卡开发发

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9楼: Originally posted by whqiaoling at 2015-03-06 15:43:28
模型不满足化学计量比，是不是需要删除部分原子，一般删除哪些原子？...

楼上是正解，按照整数的厚度即可。

如果这样还是很难收敛，那么你得考虑计算的参数及精度问题，如果这样还不行，就得考虑一些数值技巧了。

不一定挂在论坛，计算问题问题欢迎留言。

12楼2015-03-06 23:13:35

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@Ellete-blue

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感谢参与，应助指数 +1
whqiaoling: 金币+30, ★★★很有帮助 2015-03-06 15:18:51

不知道你建的表面的具体结构，猜测可能在N终结的情况下，体系不是电中性的。你可以计算你最终材料的化学配比，通过减少电荷来平衡体系的电荷。同时增加表面的厚度，来降低电荷不平衡的影响。

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3楼2015-03-04 19:42:20

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刚才想到，最好的方法是通过调节层的厚度确保电荷是中性的。这个问题肯那个跟计算参数的设置没关系，关键是模型

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4楼2015-03-04 19:47:18

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好奇的问一下，为什么SCF设置为1000呢？系统一般默认的是50，在Dmol3中在尝试smearing之前，貌似也就提高到100。。。（小弟新手，问题可能太幼稚了，请多包涵）

5楼2015-03-04 22:33:38

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引用回帖:

5楼: Originally posted by NCEPUSCR at 2015-03-04 22:33:38
好奇的问一下，为什么SCF设置为1000呢？系统一般默认的是50，在Dmol3中在尝试smearing之前，貌似也就提高到100。。。（小弟新手，问题可能太幼稚了，请多包涵）

因为以前计算的时候遇到过这种情况：SCF循环结束但是体系未达到基态。所以每次计算我就把SCF设置的很大，但貌似不需要这么大。

7楼2015-03-06 15:17:17

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3楼: Originally posted by @Ellete-blue at 2015-03-04 19:42:20
不知道你建的表面的具体结构，猜测可能在N终结的情况下，体系不是电中性的。你可以计算你最终材料的化学配比，通过减少电荷来平衡体系的电荷。同时增加表面的厚度，来降低电荷不平衡的影响。
...

您好，保持体系电中性就是建好表面模型之后删除几个原子吗？一般删除那些原子？

8楼2015-03-06 15:20:30

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6楼: Originally posted by 卡开发发 at 2015-03-05 12:56:46
不知模型是否都符合计量比，另外，不同暴露面（上下表面都算）对于体系而言前线电子密度不同，适当调节density mixing可以利于收敛。

模型不满足化学计量比，是不是需要删除部分原子，一般删除哪些原子？