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[求助]
GaN表面金属镍薄膜退火成小球的条件
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求助： 小女子最近想用金属镍小球刻蚀GaN，怎奈镍薄膜退火无论如何也没能形成小球，本人工艺条件是镍薄膜10nm，退火温度850,950，时间从1min到5min不等，氮气氛围，恳请各位高人指点！ |
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