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xiehaimei515金虫 (正式写手)
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硅电极 已有3人参与
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| 各位好，我现在在做硅电极，材料是电子束沉积的，现在发现其容量比理论比容量4200翻了一倍，而且还会出现放电时电位下不去，充不了点的情况，请问大家这是什么原因 |
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xiehaimei515
金虫 (正式写手)
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9楼2015-01-17 17:22:49
godsdream09
银虫 (正式写手)
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3楼2015-01-16 19:18:13
【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
xiehaimei515: 金币+2, ★有帮助 2015-01-17 17:14:54
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xiehaimei515: 金币+2, ★有帮助 2015-01-17 17:14:54
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Si电极在第一次充放电阶段会产生大量的不可逆能量，如果你用的是1st cycle的数据计算的理论容量，会超过最大值4200 如果计算上没问题的话，充放电反应面积如果大于预测面积的话（合金化Si的质量变大），容量也是会超的。这些都是常见的失误，一般计算值可能在3500以下 无法充电的问题，不知道你的Si材料是什么构造，用的什么电池基板（copper?），你提到electron beam，应该就是薄膜了吧。Si薄膜根据厚度不同，电极寿命和充放电特性也是不一样的。 由于Si在充放电期间有剧烈的体积膨胀反应，最好充放电后观察一下你的电极表面，是否Si活性物质已经脱落 |
4楼2015-01-16 20:02:58
★
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xiehaimei515: 金币+1 2015-01-17 17:22:55
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xiehaimei515: 金币+1 2015-01-17 17:22:55
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5楼2015-01-17 10:12:05
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