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xiehaimei515金虫 (正式写手)
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硅电极 已有3人参与
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| 各位好，我现在在做硅电极，材料是电子束沉积的，现在发现其容量比理论比容量4200翻了一倍，而且还会出现放电时电位下不去，充不了点的情况，请问大家这是什么原因 |
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【答案】应助回帖
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xiehaimei515: 金币+2, ★有帮助 2015-01-17 17:14:54
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xiehaimei515: 金币+2, ★有帮助 2015-01-17 17:14:54
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Si电极在第一次充放电阶段会产生大量的不可逆能量，如果你用的是1st cycle的数据计算的理论容量，会超过最大值4200 如果计算上没问题的话，充放电反应面积如果大于预测面积的话（合金化Si的质量变大），容量也是会超的。这些都是常见的失误，一般计算值可能在3500以下 无法充电的问题，不知道你的Si材料是什么构造，用的什么电池基板（copper?），你提到electron beam，应该就是薄膜了吧。Si薄膜根据厚度不同，电极寿命和充放电特性也是不一样的。 由于Si在充放电期间有剧烈的体积膨胀反应，最好充放电后观察一下你的电极表面，是否Si活性物质已经脱落 |
4楼2015-01-16 20:02:58
【答案】应助回帖
★ ★
xiehaimei515: 金币+2, ★★★很有帮助 2015-01-18 13:09:29
xiehaimei515: 金币+2, ★★★很有帮助 2015-01-18 13:09:29
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首先，感觉你对测试的材料不是很了解。。基板只有玻璃的话，Si是不导电的，之间应该会有金属，关于电极的构造你一定漏掉了很多信息。不过，Si薄膜在充放电过程中会有Si活物质脱落现象，不管使用什么基板什么样的制作环境都是一样的，所以问题不在这上面。 第二，你的充放电曲线没有异常，C/20算很慢了，个人的建议C/8、C/10就属于慢的了，另外充放电时可以试试 CC-CV mode，曲线会呈现更多信息。 第三，可以简单确认一下，比容量的算法是: 测试容量(mAh) / Si反应面积*厚度*Si密度(g) ，Si薄膜比容量的理论计算值是3500以下，你参考一下这个数值，对比对比和自己的差了大概多少% 因为不知道你的电池构造，这里就不乱猜想了。如果你能提示你的half-cell构造图，应该能知道问题出在哪里。 这几点建议，相信对你会有启发  |
11楼2015-01-18 02:20:34
yuzhiboyou
新虫 (著名写手)
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godsdream09
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3楼2015-01-16 19:18:13
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5楼2015-01-17 10:12:05
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6楼2015-01-17 10:12:54
xiehaimei515
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xiehaimei515
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xiehaimei515
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10楼2015-01-17 17:31:19
