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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 综合其他 » 光刻后去胶不均匀怎么解决
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babyoflion

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

考虑下是不是胶面表面不均匀比如有颗粒杂质什么的，这样会导致曝光时曝光量的不均匀，从而导致后续的后烘反转时的不均匀！
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21楼2015-01-17 17:00:32
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PXweng

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by 丫丫^_^ at 2015-01-14 09:34:49
间距减小之后才这样，用的负胶。光刻胶没问题，做间距大的能显影很好...

楼上的回答问题也不问清楚。她说用的是负胶，你曝光时间45s,你alinger的单位曝光能量是多少mj/cm2？。。。。。。你的工艺参数也有些夸张了。都是min级的。。。。。
你回答我几个问题：
1.你的曝光机是什么机器？做2um,普通alinger差不多极限了。还是有加滤光片的？
2.胶厚？
3、烘烤工具是oven还是hp
4、alinger曝光机能量

初步判断你是过曝了，还有就是机器的问题
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有事电话说嘛13925288900
22楼2015-01-24 17:01:51
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PXweng

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
丫丫^_^: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2015-01-24 20:23:03
引用回帖:
9楼: Originally posted by 丫丫^_^ at 2015-01-14 09:33:26
间距2um，
用的稀释过的光刻胶。
前烘100℃，10min，
曝光45s，
后烘100℃，5min
显影30min，以前做尺寸比较大的掩模板，3min就能显很好...

初步判断是过曝了，还要确认能设备的能力。
你提供下参数：
1、曝光设备型号和单位曝光能量
2､光刻胶型号或胶厚
3、烘烤是用的oven还是hp
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有事电话说嘛13925288900
23楼2015-01-24 17:06:04
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丫丫^_^

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
23楼: Originally posted by PXweng at 2015-01-24 17:06:04
初步判断是过曝了，还要确认能设备的能力。
你提供下参数：
1、曝光设备型号和单位曝光能量
2､光刻胶型号或胶厚
3、烘烤是用的oven还是hp...

已经解决了，谢谢
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24楼2015-01-24 20:22:43
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Sky-fighter

铁虫 (初入文坛)
请问楼主，现在你的问题解决了吗？我也遇到类似问题，但我的线宽间距比你的大，10微米左右，也是出现极个别地方线断掉的情况。
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25楼2015-07-23 09:14:39
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