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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

[求助] 关于制作GaN 器件的设备 已有3人参与

现在GaN 型HEMT器件搞的是风生水起啊，我也想了解了解，有没有人晓得做这个东西要用到哪些设备，线宽一般是多少啊
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
1楼 2014-12-15 16:52:50
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yuan999

专家顾问 (知名作家)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
yuanxin5254: 金币+1, ★有帮助 2014-12-17 16:20:34
尽管我没做这个，个人觉得这个要求设备比较高，要做高质量的GaN和相关器件，大部分用高温物理方法
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我~心~依~旧
2楼2014-12-17 10:02:09
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韩东岳_real

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

目前，GaN-HEMT主要还是用MOCVD设备来制备。线宽主要取决于对频率、散热和击穿电压的要求，线宽越小频率会越高，但散热不好，造成器件寿命降低。
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3楼2015-03-03 09:05:54
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 韩东岳_real at 2015-03-03 09:05:54
目前，GaN-HEMT主要还是用MOCVD设备来制备。线宽主要取决于对频率、散热和击穿电压的要求，线宽越小频率会越高，但散热不好，造成器件寿命降低。

线宽越小为啥散热不好啊
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
4楼2015-03-03 12:24:41
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

这个好像是有点热，听说国外都有产业化的了
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5楼2015-03-03 14:35:33
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