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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 晶体生长时，是不是有这样的规律：晶体越大，本征缺陷越少？
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sc1991

银虫 (小有名气)

[求助] 晶体生长时，是不是有这样的规律：晶体越大，本征缺陷越少？ 已有3人参与

不管是水热生长，还是VLS生长，不考虑其他因素，单就晶体体积（生长时间）而言，
是不是有【如题】所说的规律？
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坚持
1楼 2014-12-15 16:50:34
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SCU_magiclee

铁杆木虫 (正式写手)

硅材料研发人员
没有这种说法吧。。。我觉得，体积越大，越不好控制啊，温度、气压等等。。本征缺陷应该越多哦
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是金子总会发光！！！
3楼2014-12-15 19:30:53
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中等的媒体

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
刚好与你说的相反，晶体越小缺陷会越少。当然出现缺陷概率是不变的，由于体积小，导致缺陷个数相对大体积小。
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天道有常，不为尧存，不为桀亡。
2楼2014-12-15 19:01:09
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sc1991

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 中等的媒体 at 2014-12-15 19:01:09
刚好与你说的相反，晶体越小缺陷会越少。当然出现缺陷概率是不变的，由于体积小，导致缺陷个数相对大体积小。

如果考虑比表面，体积越小，比表面越大。
而表面上的本征缺陷是比较多的吧，这样看来是不是体积越大，缺陷越少。
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坚持
4楼2014-12-15 21:28:10
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sc1991

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by SCU_magiclee at 2014-12-15 19:30:53
没有这种说法吧。。。我觉得，体积越大，越不好控制啊，温度、气压等等。。本征缺陷应该越多哦

不考虑具体的实验参数，假设一个比较完美的生长条件。
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坚持
5楼2014-12-15 21:29:07
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