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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP杂化泛函计算太密度
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junfeiyan

新虫 (小有名气)

[求助] VASP杂化泛函计算太密度已有1人参与

菜鸟刚接触杂化泛函，有几点不太清楚，1）论坛上两个帖子关于杂化泛函讲的比较详细，一个是优化后分三步，一个是分四步，第一个帖子（首先，用PBE函数进行正常的自恰计算，这里需要输出波函数和电荷密度；其次，用HSE函数进行自恰计算，这里最好用ALGO＝damp；第三，用HSE函数进行自恰计算，去除ALGO参数，这里使用DAV算法；最后，计算能带和态密度。）另一个帖子
注意，第一步是结构优化， 就是每个原子能量最低.
第二步是静态自洽计算得到电子波函数，   这两部和LDA是一样的
第三步就是用上一步的电子波函数做混合泛函计算， 主要是第三步混合泛函第（这一步要把ISMEAR改成-5，ISMEAR改成-5电子占据数不会出现负值，对半导体不会出现能级展宽，师姐传授的经验）
第四步是计算能带。

有什么区别，哪个更准确，还是第二个帖子的第三步实际就是第一个二三步的和。
2）大家讲的都是能带的计算，太密度是从能带这一步顺带获得，还是能带上一步的结果呢？DFT计算太密度也不用高对称点啊
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1楼2014-12-10 17:16:18
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binshao1991

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by junfeiyan at 2014-12-11 09:27:51
多谢前辈指点，晚生获益良多，还有一事相求，就是提取高对称点的band，用什么氧的脚本呢，能否分享一下...

有个窍门，你可以先用pbe算高对称点的能带，这样速度很快的，就可以从出来vasprun里面找到分割好的高对称点了。
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4楼2014-12-16 21:11:55
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binshao1991

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+3, 谢谢交流 2014-12-11 07:48:40
楼主，我之前有和你同样的疑惑，于是我写了邮件给第一个方法的人，并得到了他的回信，如下：
您好，我在小木虫上看到您发的用HSE计算能带态密度的教程，我最近刚学VASP想用他来计算能带态密度和介电常数。
在论坛上看了好多，但是始终还是比较混乱。我还是觉得您的教程是最简洁易懂的，因此我想请教您几个问题，希望您能帮我解答一下。

首先，我知道如果用PBE来计算态密度和能带的流程，首先是ISTART = 0 , ICHARG = 2先自洽，得到CHACAR; 第二步将CHACAR拷到另外的文件夹，再重新设置ISTART = 1 , ICHARG = 11，就可以开始态密度和能带的计算了，态密度用更密一些的K点，而能带则用高对称点。
而到了用HSE方法时，就对应不上了。据我所知，我们优化好后（用DFT-PBE优化），首先应该先用DFT-PBE（ISTART = 0 , ICHARG = 2）进行自洽一次，将得到的WAVECAR，下一步利用得到的WAVECAR并设置（ISTART = 1 , ICHARG = 2），并加入一些开启HSE计算的参数到INCAR里面，再重新再另一个文件夹中来进行HSE自洽。
在您的教程里，您首先采取了ALGO        =Damped的HSE自洽并说：“值得注意的是，这种方法计算的本征矢量会有问题，即每个 k 点能带的顺序会乱七八糟。但电荷密度和波函数是没有问题的。”。接着您再进行了一次HSE的自洽（这次把ALGO=Damped删掉了,并说：“在第二步的基础上，使用 DAV 算法计算，好处是收敛较快，本征矢量没有任何问题。这一步的 DOS 是没有问题的。”）

我的困惑是：

1、为什么您要进行两次HSE自洽呢？是否第一次HSE自洽由于读取了DFT的WAVECAR进行混合泛函，导致输出结果有些不正确，因而需要进行第二次HSE自洽？那么第一次自洽设置为ISTART = 1 , ICHARG = 2；那么第二次自洽是否也是设置为ISTART = 1 , ICHARG = 2呢？

2、您的第二次自洽的目的是否是想得到DOS呢？如果是的话，那么k点的数目是否要进行增大呢？由于HSE运行很慢，我们能否在HSE第一次自洽后得到的DOS拿来画图使用？


回复：：1,第一次HSE的计算需要读取PBE的WAVECAR，这是为了加速计算。两次HSE不是因为不正确，只要收敛了，计算结果都是正确的。这里我之所以选择两步的原因，是因为Damp的算法，计算较快，而DAV较慢。我正常先用Damp计算，再用一次DAV，这样有时要比直接的DAV计算要快。一般来说，它主要读的是WAVECAR，跟CHGCAR没什么关系，所以你怎么设置都可以。这里计算DOS跟正常的PBE原理不一致。
2，原则上可以增加k点，但我一般不推荐，因为计算太慢。我一般就用正常的k点。一般算dos最好用－5，这样比较光滑。所以最好两次计算。这里通常第二次HSE收敛很快，一般也就2-4步就能收敛。


另，我自己的观点，首先正常DFT自洽，取其波函数文件，再放到HSE自洽中，再自洽一次。本来可以加大K点来算态密度以及用高对称点算能带，和算介电常数。由于时间长的关系，就不加大k点算态密度了，直接拿HSE自洽后产生的DOSCAR来画态密度图。

我也是最近才真正开始操作的，我同样发现了一个问题，我用DFT，GGA-PBE算光学性质和用MS（参数和用DFT时几乎一样）算出来Si的介电常数还是在峰值大小和峰值的位置上有一点差异。
我现在贴出我仅用DFT方法算介电常数的INCAR，希望高手帮我看看我是不是参数设置有问题，从而导致与MS的结果有差异：

system=Si
ENCUT=300
ISTART=1
ICHARG = 11
PREC=Accurate
GGA=PE
ISMEAR=-5
EDIFF=1E-5
LOPTICS = TRUE
CSHIFT = 0.1
NBANDS = 36  
NPAR = 1  
NEDOS = 2000
LRPA = .FALSE.              
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .FALSE.   
LCHARG = .FALSE.
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2楼2014-12-10 22:57:01
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junfeiyan

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by binshao1991 at 2014-12-10 22:57:01
楼主，我之前有和你同样的疑惑，于是我写了邮件给第一个方法的人，并得到了他的回信，如下：
您好，我在小木虫上看到您发的用HSE计算能带态密度的教程，我最近刚学VASP想用他来计算能带态密度和介电常数。
在论坛 ...

多谢前辈指点，晚生获益良多，还有一事相求，就是提取高对称点的band，用什么氧的脚本呢，能否分享一下
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3楼2014-12-11 09:27:51
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