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junfeiyan

新虫 (小有名气)

[求助] VASP杂化泛函计算太密度已有1人参与

菜鸟刚接触杂化泛函,有几点不太清楚,1)论坛上两个帖子关于杂化泛函讲的比较详细,一个是优化后分三步,一个是分四步,第一个帖子(首先,用PBE函数进行正常的自恰计算,这里需要输出波函数和电荷密度;其次,用HSE函数进行自恰计算,这里最好用ALGO=damp;第三,用HSE函数进行自恰计算,去除ALGO参数,这里使用DAV算法;最后,计算能带和态密度。)另一个帖子
注意,第一步是结构优化, 就是每个原子能量最低.
第二步是静态自洽计算得到电子波函数,   这两部和LDA是一样的
第三步就是用上一步的电子波函数做混合泛函计算, 主要是第三步混合泛函第(这一步要把ISMEAR改成-5,ISMEAR改成-5电子占据数不会出现负值,对半导体不会出现能级展宽,师姐传授的经验)
第四步是计算能带。

有什么区别,哪个更准确,还是第二个帖子的第三步实际就是第一个二三步的和。
2)大家讲的都是能带的计算,太密度是从能带这一步顺带获得,还是能带上一步的结果呢?DFT计算太密度也不用高对称点啊
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junfeiyan

新虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by binshao1991 at 2014-12-10 22:57:01
楼主,我之前有和你同样的疑惑,于是我写了邮件给第一个方法的人,并得到了他的回信,如下:
您好,我在小木虫上看到您发的用HSE计算能带态密度的教程,我最近刚学VASP想用他来计算能带态密度和介电常数。
在论坛 ...

多谢前辈指点,晚生获益良多,还有一事相求,就是提取高对称点的band,用什么氧的脚本呢,能否分享一下
3楼2014-12-11 09:27:51
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