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wanghongyu金虫 (正式写手)
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[交流]
SiO2 colloid表面修饰后怎么处理和表征？
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我采用的是SiO2 colloid（直径在20 nm，pH在9～10）用含三乙氧基硅烷偶联剂进行修饰，但是在弱碱性的水溶液中，硅烷偶联剂水解后很容易发生自身的偶联，得到的产物不知道怎么除去偶联剂的低聚物？ 我采用离心分离，水洗，反复几次但是无法除去偶联剂的低聚物 但是如果用乙醇洗的话，结果产物都变成了澄清的溶液，然后再离心SiO2颗粒沉降不下来。 表征我也觉得会比较麻烦：TEM表征不知道SiO2是分散在偶联剂中还是通过Si－O－Si键连接上的，大家一般都用什么办法表征？固体核磁硅谱表征的话，如果接枝的量不是很大的话，是不是Q2，Q3和Q4的峰变化是不是也不大？FT-IR表征我觉得就更没有说服力了 [ Last edited by wanghongyu on 2008-5-18 at 21:22 ] |
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