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《静电势》静电势相对正常晶体未变化的缺陷对半导体电学性能影响？
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请问，看了篇文章说孪晶界面的静电势相对基体变化很小（0.01ev），那我可以理解为它对载流子输运，电阻率等电学性能是没有影响的吗？ 但是有篇文献又说，孪晶界面是电子反射中心或者复合中心 静电势到底有什么意义？ 静电势和基体相差多大时，是对电学性能影响不能忽略的？ |
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