| 查看: 405 | 回复: 1 | ||
[求助]
《静电势》静电势相对正常晶体未变化的缺陷对半导体电学性能影响？
|
|
请问，看了篇文章说孪晶界面的静电势相对基体变化很小（0.01ev），那我可以理解为它对载流子输运，电阻率等电学性能是没有影响的吗？ 但是有篇文献又说，孪晶界面是电子反射中心或者复合中心 静电势到底有什么意义？ 静电势和基体相差多大时，是对电学性能影响不能忽略的？ |
回复此楼» 猜你喜欢
今年的WR进展到哪一步了？
已经有8人回复
-
时间戳他又来了
已经有17人回复
-
系统今天又提示维护了，估计离放榜不远了
已经有9人回复
-
产物和副产物价值比较
已经有4人回复
-
这个自发加氧反应的机理是什么？
已经有7人回复
-
J-J-W不为人知的一面
已经有19人回复
-
没消息就是被刷了呗
已经有14人回复
-
微信指数没变化，科研之友没阅读
已经有8人回复
-
这种情况还有戏吗
已经有11人回复
-
同事接到电话了，我却没有
已经有4人回复
 |
2楼2014-11-19 11:16:40